Tetrakis (dimethylamino) hafnium (IV) | TDMAH | Hf[N(CH3)2]4 | 6N

Tetrakis(methylethylamino)hafnium(IV) can be used as a precursor for thin-film deposition to prepare hafnium oxide thin films, which are high-k insulating materials that can be applied to new functional devices such as COMS and next-generation DRAMs, novel resistive/memory-retardant devices (RRAMs), ferroelectric memory devices (FeRAMs), and ferroelectric tunnel junctions.