Molecular weight: 295.01 | CAS number: 1066-77-9

Tetrakis(methylethylamino) zirconium(IV) is precursor of ZrO2 in chemical deposition process, known as high-k insulating materials in COMS and DRAM; a resistive memory dielectric layer precursor; lithium-ion battery anode cladding deposition precursor. It is used to prepare specialty ceramics; catalyst of bridged metallocene compounds.

Tetrakis (diethylamino) zirconium (IV) is precursor of ZrO2 in chemical deposition process, known as high-k insulating materials in COMS and DRAM; a resistive memory dielectric layer precursor; lithium-ion battery anode cladding deposition precursor. It is used to prepare specialty ceramics; catalyst of bridged metallocene compounds. 

Tetrakis (dimethylamino) zirconium (IV) is precursor of ZrO2 in chemical deposition process, known as high-k insulating materials in COMS and DRAM; a resistive memory dielectric layer precursor; lithium-ion battery anode cladding deposition precursor. It is used to prepare specialty ceramics; catalyst of bridged metallocene compounds.

Tetrakis(methylethylamino)hafnium(IV) can be used as a precursor for thin-film deposition to prepare hafnium oxide thin films, which are high-k insulating materials that can be applied to new functional devices such as COMS and next-generation DRAMs, novel resistive/memory-retardant devices (RRAMs), ferroelectric memory devices (FeRAMs), and ferroelectric tunnel junctions.

Tetrakis(methylethylamino)hafnium(IV) can be used as a precursor for thin-film deposition to prepare hafnium oxide thin films, which are high-k insulating materials that can be applied to new functional devices such as COMS and next-generation DRAMs, novel resistive/memory-retardant devices (RRAMs), ferroelectric memory devices (FeRAMs), and ferroelectric tunnel junctions.

Tetrakis(methylethylamino)hafnium(IV) can be used as a precursor for thin-film deposition to prepare hafnium oxide thin films, which are high-k insulating materials that can be applied to new functional devices such as COMS and next-generation DRAMs, novel resistive/memory-retardant devices (RRAMs), ferroelectric memory devices (FeRAMs), and ferroelectric tunnel junctions.

Tetrakis (dimethylamino) titanium (IV) can be dissolved in alcohols, benzene, carbon tetrachloride and other organic solvents, not only has good stability, high vapor pressure, but also shows a very high reactivity.

Pentakis(dimethylamino)tantalum(V) catalyzes the formation of C-N bonds; provide additional oxygen in enzyme-catalyzed reactions; and serve as a novel carrier material for drug delivery. It can be used to deposit TaN, which is widely used as a diffusion barrier layer; to deposit Ta2O5, which is a key component of DRAM.